简单来说，电源自动切换电路的核心目标是 "主断备启，无间断供电"
最简单的设计：二极管切换
两个电源，根据供电电压的高低自动选择，哪边电压高用哪边。
二极管可以选择普通二极管（最大 0.7V 压降）或者肖特基二极管（最大 0.3V 压降）
MOS管切换
设计一
简单说下该电路原理:
- 当 VIN 电压大于 VBAT 时 Vgs > 0 此时mos管截止 由VIN 供电
- 反之 Vgs < 0 此时mos管导通 由VBAT供电 D4 二极管防止电流倒灌
但是该电路会多一个二极管的压降
设计二
这里的 PMOS 方向并反 因为这里是用到了 MOS 管的体二极管
要判断该电路是否能实现主副供电无缝切换，需结合MOS 管阈值电压、下拉电阻阻值、输出滤波电容这三个核心影响因素分析：
1. MOS 管阈值电压（以 P 型 MOS 管 Q2 为例）
Q2 作为备用电源（VBAT）的开关管，其 阈值电压（Vth）直接决定导通灵敏度。对于 P 型 MOS 管，导通条件为。当主电源 VIN1 掉电后，Q2 栅极电压由下拉电阻 R2 拉低，若Vth越小，越易满足导通条件，Q2 能更快导通，缩短切换延时。因此选型时应优先选择Vth较小的 P 型 MOS 管，确保电源切换的响应速度。
2. 下拉电阻 R2 的阻值
R2 是 Q2 栅极的下拉元件，其阻值需在切换速度与功耗之间平衡：
- 阻值越小，VIN1 掉电后栅极电压下拉至 0V 的速度越快，Q2 导通越迅速，有利于减少切换时间；
- 但阻值过小会增加 VIN1 正常时的栅极功耗（VIN1 需提供更大电流驱动 R2）。电路图中选择 10KΩ 的 R2 是合理折中，既保证了较快的下拉速度，又将功耗控制在可接受范围。
3. VOUT 处的滤波电容 C2
VOUT 端的滤波电容 C2 容量越大，储存的电能越充足。在主副电源切换瞬间，C2 可释放能量维持 VOUT 电压稳定，避免因电源切换导致电压跌落。电路图中采用 100μF 的 C2，能有效增强切换时的电压保持能力，是实现无缝切换的关键保障。实际应用中建议选用 100μF 以上的电容，进一步提升切换稳定性。
充电电路切换
D1防止电流倒灌
AC-DC电源
该电路将 220V 交流电转换为 12V 直流电
- 其中 R48 压敏电阻用于浪涌/过压抑制，当电压超过阈值时会迅速导通将多余能量吸收并泄到地线上，保护后方 AC-DC模块不被冲坏。
- R49 同理，不过该 TVC 二极管是通过反向击穿来泄压。
三极管做开关电路
这里 Q9 是 NPN 型三极管，基极给一个高电平导通，此时 Q8 栅极接地 MOS 管导通，负载上电开始工作。
三极管的放大特性
有源蜂鸣器：上电发声
假设该蜂鸣器的额定工作电压为 3.3V，额定工作电流为 20mA，三极管工作在理想情况下，集电极到发射极的压降 Vce = 0V，那么此时 R8 电阻上的分压为5V - 3.3V根据欧姆定律，R = U / I就可以得出 R8 的阻值。
三极管的放大作用：β放大倍数，要想让三极管发挥最完美的开关作用就要保证基极的电流*放大倍数严格等于集电极到发射极的电流，Ib * β = Ice也就是 Ice / β = Ib，β 可以通过万用表测得，假设为 240，即 20 / 240 = Ib，此时根据欧姆定律可以算出 R7 的阻值，单片机的 IO 口输出电压为 3.3V 用 3.3V / Ib 即可。
但是这里还有一个细节 三极管的这个基极和发射极之间是有导通压降的 一般是 0.7V，所以应该是 3.3-0.7 之后才是 R7 的分压之后再除以 Ib。